D6A-N er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for D6A-N, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for D6A-N via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb D6A-N med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Spænding - Indgang: | 12V |
| Skift Funktion / Vurdering: | - |
| Serie: | D6A |
| Sensing Range: | 0.5 ~ 1.5 m/s |
| Havnestørrelse: | Female, 1.3" (33mm) |
| Andre navne: | D6AN Z2002 |
| Driftstemperatur: | 0°C ~ 45°C (TA) |
| Materiale - Krop: | - |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Flow Sensor Type: | Air |
| Detaljeret beskrivelse: | Air Flow Sensor 0.5 ~ 1.5 m/s Female, 1.3" (33mm) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til D6A-N
Laast News
- Moels Micro Electronics har oprettet et nyt kontorer i Taiwan, Kina for at udvide forretningsområdet
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip
- X-FAB introducerer billedføler tilbage belysningsteknologi for at forbedre CMOS-sensorens ydeevne