Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single > APT106N60B2C6
APT106N60B2C6
APT106N60B2C6
Varenummer:
APT106N60B2C6
Fabrikant:
Microsemi
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
Blyfri status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Lager Antal:
26130 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Blytid:
4-8 weeks
Datablad:
APT106N60B2C6.pdf
Forespørgsel

Introduktion

APT106N60B2C6 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for APT106N60B2C6, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for APT106N60B2C6 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb APT106N60B2C6 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New & Original, tested
Oprindelsesland Contact us
Mærkningskode Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3.4mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:T-MAX™ [B2]
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max):833W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-247-3 Variant
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:18 Weeks
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:8390pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:308nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Detaljeret beskrivelse:N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:106A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til APT106N60B2C6

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
APT100S20BG Image APT100S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 Forespørgsel
APT100MC120JCU2 Image APT100MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP Forespørgsel
APT100GT120JU3 Image APT100GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 140A 480W SOT227 Forespørgsel
APT10M11JVRU2 Image APT10M11JVRU2 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Forespørgsel
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Forespørgsel
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 Forespørgsel
APT100GT60B2RG Image APT100GT60B2RG Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT247 Forespørgsel
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 Forespørgsel
APT102GA60B2 Image APT102GA60B2 Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO247 Forespørgsel
APT10DC120HJ Image APT10DC120HJ Microsemi DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 Forespørgsel
APT10M09B2VFRG Image APT10M09B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Forespørgsel
APT102GA60L Image APT102GA60L Microsemi IGBT 600V 183A 780W TO264 Forespørgsel
APT100S20LCTG Image APT100S20LCTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 Forespørgsel
APT10M07JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Forespørgsel
APT10M11JVRU3 Image APT10M11JVRU3 Microsemi MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 Forespørgsel
APT100GT60JRDQ4 Image APT100GT60JRDQ4 Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Forespørgsel
APT100GT60JR Image APT100GT60JR Microsemi IGBT 600V 148A 500W SOT227 Forespørgsel
APT10M11JVR Microsemi MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP Forespørgsel
APT10M11B2VFRG Image APT10M11B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX Forespørgsel
APT100M50J Image APT100M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 Forespørgsel

Laast News