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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNR9114J0L
UNR9114J0L
UNR9114J0L
Artikelnummer:
UNR9114J0L
Hersteller:
Panasonic
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
30110 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
UNR9114J0L.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SSMini3-F1
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):10 kOhms
Leistung - max:125mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-89, SOT-490
Andere Namen:UN9114J-(TX)
UN9114J-TX
UN9114JTR
UN9114JTR-ND
UNR9114J0LTR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:80MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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