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UMD6NTR
- Artikelnummer:
- UMD6NTR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55966 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.UMD6NTR.pdf2.UMD6NTR.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | - |
| Widerstand - Basis (R1): | 4.7 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | *MD6 |
| Email: | [email protected] |
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