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TSM160N10LCR RLG
- Artikelnummer:
- TSM160N10LCR RLG
- Hersteller:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 45366 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TSM160N10LCR RLG.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-PDFN (5x6) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 83W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | TSM160N10LCR RLGCT TSM160N10LCR RLGCT-ND TSM160N10LCRRLGCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4431pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 46A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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