STP45N60DM2AG
STP45N60DM2AG
Artikelnummer:
STP45N60DM2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 34A
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
30570 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
STP45N60DM2AG.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs:93 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max):250W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-16128-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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