STH300NH02L-6 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für STH300NH02L-6, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STH300NH02L-6 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie STH300NH02L-6 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
STH300NH02L-6
- Artikelnummer:
- STH300NH02L-6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 47947 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- STH300NH02L-6.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | H²PAK |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 300W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Andere Namen: | 497-12255-2 STH300NH02L6 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 38 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7050pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 109nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 24V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 24V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für STH300NH02L-6
läst Nachrichten
- ARM erschien in Computex 2024: Es wird erwartet, dass mehr als 100 Milliarden ARM -Geräte für AI bis Ende 2025 verwendet werden können
- Qorvo hat die herausragenden 5G -MMIMO -Vorläufe der Branche auf den Markt gebracht
- Simulationszyklus -Inventarbooting Out, KI fährt den Flash -Speicherbedarf fort
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich