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STFW3N170
- Artikelnummer:
- STFW3N170
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1700V 2.6A
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 28402 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- STFW3N170.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ISOWATT-218FX |
| Serie: | PowerMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 63W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | ISOWATT218FX |
| Andere Namen: | 497-16308-5 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 42 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1700V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 1700V 2.6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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