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STB30NM50N
- Artikelnummer:
- STB30NM50N
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 31405 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- STB30NM50N.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D2PAK |
| Serie: | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 190W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | 497-8768-1 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2740pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 94nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 500V 27A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 27A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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