SSM3J114TU(TE85L) ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SSM3J114TU(TE85L), wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SSM3J114TU(TE85L) per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SSM3J114TU(TE85L) mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SSM3J114TU(TE85L)
- Artikelnummer:
- SSM3J114TU(TE85L)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 24364 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | UFM |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 149 mOhm @ 600mA, 4V |
| Verlustleistung (max): | 500mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-SMD, Flat Leads |
| Andere Namen: | SSM3J114TU(TE85L)CT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 331pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.7nC @ 4V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SSM3J114TU(TE85L)
läst Nachrichten
- Qorvo hat die herausragenden 5G -MMIMO -Vorläufe der Branche auf den Markt gebracht
- Simulationszyklus -Inventarbooting Out, KI fährt den Flash -Speicherbedarf fort
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen