SQ1922EEH-T1_GE3 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SQ1922EEH-T1_GE3, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SQ1922EEH-T1_GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SQ1922EEH-T1_GE3 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SQ1922EEH-T1_GE3
- Artikelnummer:
- SQ1922EEH-T1_GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 53618 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SQ1922EEH-T1_GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-70-6 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Leistung - max: | 1.5W |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | SQ1922EEH-T1_GE3CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 840mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 840mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SQ1922EEH-T1_GE3
läst Nachrichten
- Der Plan von Micron, eine Fabrik, einen NAND -Flash -Speicher zu hohen Preisen oder Wartung zu erstellen
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte