SISA16DN-T1-GE3 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SISA16DN-T1-GE3, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SISA16DN-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SISA16DN-T1-GE3 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SISA16DN-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SISA16DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 20527 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SISA16DN-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Andere Namen: | SISA16DN-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2060pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 16A (Ta) |
| Basisteilenummer: | SISA16 |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SISA16DN-T1-GE3
läst Nachrichten
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte