SIRA18DP-T1-RE3
Artikelnummer:
SIRA18DP-T1-RE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
Bestandsmenge:
34497 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SIRA18DP-T1-RE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):14.7W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

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