SI7923DN-T1-GE3
SI7923DN-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7923DN-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
42747 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SI7923DN-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:47 mOhm @ 6.4A, 10V
Leistung - max:1.3W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® 1212-8 Dual
Andere Namen:SI7923DN-T1-GE3TR
SI7923DNT1GE3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.3A
Basisteilenummer:SI7923
Email:[email protected]

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