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SI7898DP-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI7898DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 50788 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI7898DP-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® SO-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.9W (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® SO-8 |
| Andere Namen: | SI7898DP-T1-GE3CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 150V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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