SI7136DP-T1-GE3
SI7136DP-T1-GE3
Artikelnummer:
SI7136DP-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
27124 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SI7136DP-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):5W (Ta), 39W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:PowerPAK® SO-8
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3380pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 30A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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