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SI2318DS-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI2318DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 27647 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI2318DS-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 750mW (Ta) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | SI2318DS-T1-GE3DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 40V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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