S27KS0641DPBHB023
Artikelnummer:
S27KS0641DPBHB023
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Beschreibung:
IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
34847 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
S27KS0641DPBHB023.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.95 V
Technologie:DRAM
Serie:Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:64Mb (8M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns
Uhrfrequenz:166MHz
Zugriffszeit:40ns
Email:[email protected]

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