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RN2911,LF
- Artikelnummer:
- RN2911,LF
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46824 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- RN2911,LF.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | US6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | - |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 200mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen: | RN2911,LF(CB RN2911,LF(CT RN2911LF(CTTR RN2911LF(CTTR-ND RN2911LFTR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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