RN1112CT(TPL3)
RN1112CT(TPL3)
Artikelnummer:
RN1112CT(TPL3)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
36487 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
RN1112CT(TPL3).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:CST3
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):22 kOhms
Leistung - max:50mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SC-101, SOT-883
Andere Namen:RN1112CT(TPL3)TR
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:300 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):50mA
Email:[email protected]

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