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RN1106MFV,L3F
- Artikelnummer:
- RN1106MFV,L3F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55813 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- RN1106MFV,L3F.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | VESM |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 4.7 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
| Andere Namen: | RN1106MFV,L3F(B RN1106MFV,L3F(T RN1106MFVL3F RN1106MFVL3F(B RN1106MFVL3F(T RN1106MFVL3F-ND RN1106MFVL3FTR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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