RGTVX6TS65GC11
RGTVX6TS65GC11
Artikelnummer:
RGTVX6TS65GC11
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
22222 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
RGTVX6TS65GC11.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 80A
Testbedingung:400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:45ns/201ns
Schaltenergie:2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247N
Serie:-
Leistung - max:404W
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:171nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 144A 404W Through Hole TO-247N
Strom - Collector Pulsed (Icm):320A
Strom - Kollektor (Ic) (max):144A
Email:[email protected]

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