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PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Artikelnummer:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Beschreibung:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 47643 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Prüfung: | 28V |
| Spannung - Nennwert: | 65V |
| Transistor-Typ: | LDMOS |
| Supplier Device-Gehäuse: | H-49248H-4 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 29W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | H-49248H-4 |
| Andere Namen: | SP001483354 |
| Rauschmaß: | - |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 14.8dB |
| Frequenz: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4 |
| Aktuelle Bewertung: | 10µA |
| Strom - Test: | 520mA |
| Email: | [email protected] |
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