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PSMN8R2-80YS,115
- Artikelnummer:
- PSMN8R2-80YS,115
- Hersteller:
- Nexperia
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 21362 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PSMN8R2-80YS,115.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 130W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Andere Namen: | 1727-4272-2 568-4904-2 568-4904-2-ND 934063935115 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 3640pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 80V 82A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 82A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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