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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > PRMH2Z
PRMH2Z
PRMH2Z
Artikelnummer:
PRMH2Z
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
PRMH2/SOT1268/DFN1412-6
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
51888 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PRMH2Z.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:DFN1412-6
Serie:Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):47 kOhms
Leistung - max:480mW
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:6-XFDFN Exposed Pad
Andere Namen:1727-7398-6
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:230MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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