PMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL
Artikelnummer:
PMZB200UNEYL
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V SOT883
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
55669 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PMZB200UNEYL.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DFN1006B-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Verlustleistung (max):350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:3-XFDFN
Andere Namen:1727-2327-1
568-12613-1
568-12613-1-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:89pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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