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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ
PMXB75UPEZ
Artikelnummer:
PMXB75UPEZ
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
24267 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PMXB75UPEZ.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DFN1010D-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Verlustleistung (max):317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen:1727-2314-6
568-12600-6
568-12600-6-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:608pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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