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PH5330E,115
- Artikelnummer:
- PH5330E,115
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 44347 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PH5330E,115.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 62.5W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Andere Namen: | 568-2348-2 934057824115 PH5330E T/R |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2010pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 80A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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