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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > PDTD123TK,115
PDTD123TK,115
Artikelnummer:
PDTD123TK,115
Hersteller:
NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
56904 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PDTD123TK,115.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:SMT3; MPAK
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:250mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen:934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Basisteilenummer:PDTD123
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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