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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > PDTC124ES,126
PDTC124ES,126
PDTC124ES,126
Artikelnummer:
PDTC124ES,126
Hersteller:
NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
40056 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PDTC124ES,126.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:TO-92-3
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):22 kOhms
Widerstand - Basis (R1):22 kOhms
Leistung - max:500mW
Verpackung:Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen:934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Basisteilenummer:PDTC124
Email:[email protected]

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