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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > PDTB123TS,126
PDTB123TS,126
PDTB123TS,126
Artikelnummer:
PDTB123TS,126
Hersteller:
NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
50917 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PDTB123TS,126.pdf
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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ:PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse:TO-92-3
Serie:-
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:500mW
Verpackung:Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):500mA
Basisteilenummer:PDTB123
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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