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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > PBSS5112PAP,115
PBSS5112PAP,115
PBSS5112PAP,115
Artikelnummer:
PBSS5112PAP,115
Hersteller:
Nexperia
Beschreibung:
TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
47435 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
PBSS5112PAP,115.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:480mV @ 100mA, 1A
Transistor-Typ:2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse:6-HUSON-EP (2x2)
Serie:-
Leistung - max:510mW
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen:1727-1077-1
568-10205-1
568-10205-1-ND
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:100MHz
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):1A
Basisteilenummer:PBSS5112
Email:[email protected]

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