PBRP123YT,215 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für PBRP123YT,215, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für PBRP123YT,215 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie PBRP123YT,215 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
PBRP123YT,215
- Artikelnummer:
- PBRP123YT,215
- Hersteller:
- Nexperia
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 53232 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- PBRP123YT,215.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 40V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 750mV @ 6mA, 600mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 250mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | 1727-5715-2 568-7260-2 568-7260-2-ND 934058991215 PBRP123YT T/R PBRP123YT T/R-ND PBRP123YT,215-ND PBRP123YT215 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 230 @ 300mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 600mA |
| Basisteilenummer: | PBRP123 |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für PBRP123YT,215
läst Nachrichten
- Die ADI -Leistung wird reduziert, Kupferfoliensubstrate sind gestiegen, die Lagerung der ursprünglichen Fabrik erhöhen Produktion konservativ
- Die Welle der Intelligenz im Auto kommt und Aimus Oslang half Sagita Juguang, den MX Lidar zu veröffentlichen
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt