NTTD4401FR2G
NTTD4401FR2G
Artikelnummer:
NTTD4401FR2G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
55856 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NTTD4401FR2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:Micro8™
Serie:FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Verlustleistung (max):780mW (Ta)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Andere Namen:NTTD4401FR2GOSCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.4A (Ta)
Email:[email protected]

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