NTMFS5H600NLT1G
NTMFS5H600NLT1G
Artikelnummer:
NTMFS5H600NLT1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
T8 60V MOSFET
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
21928 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NTMFS5H600NLT1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.3 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):3.3W (Ta), 160W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN, 5 Leads
Andere Namen:NTMFS5H600NLT1GOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6680pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 35A (Ta), 250A (Tc) 3.3W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:35A (Ta), 250A (Tc)
Email:[email protected]

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