NJVMJD253T4G-VF01 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für NJVMJD253T4G-VF01, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für NJVMJD253T4G-VF01 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie NJVMJD253T4G-VF01 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
NJVMJD253T4G-VF01
- Artikelnummer:
- NJVMJD253T4G-VF01
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PNP 100V 4A DPAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 44721 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NJVMJD253T4G-VF01.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 100mA, 1A |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Leistung - max: | 12.5W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | NJVMJD253T4G-VF01-ND NJVMJD253T4G-VF01OSTR |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 40MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 12.5W Surface Mount DPAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 40 @ 200mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 4A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für NJVMJD253T4G-VF01
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor
- Unter dem AI -Luftverkehr sind die beiden großen Chipgiganten "nicht stark": Das Geld, um das Spiel zu brechen, wette auf 2025 Teamschlachten