NGTD13R120F2WP
Artikelnummer:
NGTD13R120F2WP
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
27462 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NGTD13R120F2WP.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:2.6V @ 25A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1200V
Supplier Device-Gehäuse:Die
Geschwindigkeit:-
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Die
Betriebstemperatur - Anschluss:175°C (Max)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp:Standard
detaillierte Beschreibung:Diode Standard 1200V Surface Mount Die
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1µA @ 1200V
Strom - Richt (Io):-
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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