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NDT02N60ZT3G
- Artikelnummer:
- NDT02N60ZT3G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 34073 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NDT02N60ZT3G.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-223 (TO-261) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 Ohm @ 700mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 300mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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