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MT53D256M64D4NY-046 XT:B
- Artikelnummer:
- MT53D256M64D4NY-046 XT:B
- Hersteller:
- Micron Technology
- Beschreibung:
- IC DRAM 16G 2133MHZ
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 52048 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MT53D256M64D4NY-046 XT:B.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 1.1V |
| Technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Serie: | - |
| Andere Namen: | MT53D256M64D4NY-046 XT:B-ND MT53D256M64D4NY-046XT:B |
| Betriebstemperatur: | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 16Gb (256M x 64) |
| Speicherschnittstelle: | - |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz |
| Uhrfrequenz: | 2133MHz |
| Email: | [email protected] |
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