MT47H64M8B6-5E IT:D TR ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für MT47H64M8B6-5E IT:D TR, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MT47H64M8B6-5E IT:D TR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie MT47H64M8B6-5E IT:D TR mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
- Artikelnummer:
- MT47H64M8B6-5E IT:D TR
- Hersteller:
- Micron Technology
- Beschreibung:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 45864 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MT47H64M8B6-5E IT:D TR.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologie: | SDRAM - DDR2 |
| Supplier Device-Gehäuse: | 60-FBGA |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 60-FBGA |
| Andere Namen: | MT47H64M8B6-5E IT:D TR-ND MT47H64M8B6-5EIT:DTR |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA |
| Uhrfrequenz: | 200MHz |
| Basisteilenummer: | MT47H64M8 |
| Zugriffszeit: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MT47H64M8B6-5E IT:D TR
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor
- Unter dem AI -Luftverkehr sind die beiden großen Chipgiganten "nicht stark": Das Geld, um das Spiel zu brechen, wette auf 2025 Teamschlachten