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MJ11030
- Artikelnummer:
- MJ11030
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 20752 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MJ11030.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 90V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 300W |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-204AE |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 25A, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 2mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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