MB9BF514NPMC-G-JNE2 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für MB9BF514NPMC-G-JNE2, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für MB9BF514NPMC-G-JNE2 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie MB9BF514NPMC-G-JNE2 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
MB9BF514NPMC-G-JNE2
- Artikelnummer:
- MB9BF514NPMC-G-JNE2
- Hersteller:
- Cypress Semiconductor
- Beschreibung:
- IC MCU 32BIT 288KB FLASH 100LQFP
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 55861 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MB9BF514NPMC-G-JNE2.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Versorgung (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Supplier Device-Gehäuse: | 100-LQFP (14x14) |
| Geschwindigkeit: | 144MHz |
| Serie: | FM3 MB9B510R |
| RAM-Größe: | 32K x 8 |
| Programmspeichertyp: | FLASH |
| Programmspeichergröße: | 288KB (288K x 8) |
| Peripherals: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 100-LQFP |
| Andere Namen: | CY9BF514NPMC-G-JNE2 |
| Oszillatortyp: | Internal |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Anzahl der E / A: | 83 |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM Größe: | - |
| detaillierte Beschreibung: | ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B510R Microcontroller IC 32-Bit 144MHz 288KB (288K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14) |
| Datenwandler: | A/D 16x12b |
| Kerngröße: | 32-Bit |
| Core-Prozessor: | ARM® Cortex®-M3 |
| Connectivity: | CANbus, CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für MB9BF514NPMC-G-JNE2
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?
- NAND Flash Memor
- Unter dem AI -Luftverkehr sind die beiden großen Chipgiganten "nicht stark": Das Geld, um das Spiel zu brechen, wette auf 2025 Teamschlachten