LS412660 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für LS412660, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für LS412660 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie LS412660 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
LS412660
- Artikelnummer:
- LS412660
- Hersteller:
- Powerex, Inc.
- Beschreibung:
- DIODE MODULE SINGLE
- Lead Free Status:
- RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 24572 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- LS412660.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.18V @ 1500A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 2600V |
| Supplier Device-Gehäuse: | POW-R-BLOK™ Module |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| RoHS-Status: | RoHS Compliant |
| Verpackung / Gehäuse: | POW-R-BLOK™ Module |
| Andere Namen: | 835-1202 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | Not Applicable |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 2600V 600A Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 40mA @ 2600V |
| Strom - Richt (Io): | 600A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für LS412660
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
LS410860 | Powerex, Inc. | DIODE GP 800V 600A POWRBLOK | Anfrage |
 |
LS411060 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1KV 600A POW-R-BLOK | Anfrage |
|
LS412460 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 2.4KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
 |
LS4150GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80 | Anfrage |
 |
LS4148 L1G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 100V 450MA SOD80 | Anfrage |
|
LS412260 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 2.2KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
|
LS411660 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.6KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
|
LS4154GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80 | Anfrage |
|
LS411460 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.4KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
|
LS4154GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80 | Anfrage |
 |
LS4148-GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80 | Anfrage |
|
LS411860 | Powerex, Inc. | DIODE GP 1.8KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
|
LS4151GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80 | Anfrage |
|
LS411260 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.2KV 600A POWRBLOK | Anfrage |
|
LS4151-GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80 | Anfrage |
|
LS4148 L0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GP 75V 450MA MINIMELF | Anfrage |
|
LS4148-GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80 | Anfrage |
|
LS4150GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80 | Anfrage |
 |
LS404IN | STMicroelectronics | IC OPAMP GP 3MHZ 14DIP | Anfrage |
|
LS412060 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 2KV 600A POW-R-BLOK | Anfrage |
läst Nachrichten
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last