LQH2MCN4R7M52L ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für LQH2MCN4R7M52L, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für LQH2MCN4R7M52L per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie LQH2MCN4R7M52L mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
LQH2MCN4R7M52L
- Artikelnummer:
- LQH2MCN4R7M52L
- Hersteller:
- Murata Electronics
- Beschreibung:
- FIXED IND 4.7UH 335MA 910 MOHM
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 52387 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Art: | Wirewound |
| Toleranz: | ±20% |
| Supplier Device-Gehäuse: | 0806 (2016 Metric) |
| Größe / Dimension: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Abschirmung: | Unshielded |
| Serie: | LQH2 |
| Bewertungen: | - |
| Q @ Frequenz: | - |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 0806 (2016 Metric) |
| Andere Namen: | 490-4988-1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Kern: | Ferrite |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivität Frequenz - Test: | 1MHz |
| Induktivität: | 4.7µH |
| Höhe - eingesteckt (max): | 0.037" (0.95mm) |
| Frequenz - Eigenresonanz: | 90MHz |
| detaillierte Beschreibung: | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 335mA 1.19 Ohm Max 0806 (2016 Metric) |
| DC-Widerstand (DCR): | 1.19 Ohm Max |
| Aktuelle Bewertung: | 335mA |
| Strom - Sättigung: | - |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für LQH2MCN4R7M52L
läst Nachrichten
- Die HBM -Produktionskapazität ist ausgeschlossen, der DRAM -Speicher kann in der zweiten Jahreshälfte knapp sein
- Die Gründer der Wand werden enden, HBM oder Dram wieder aufsteigen
- AI -Mobiltelefon- und PC -Expansionsnachfrage, globale Verbesserung der Halbleiterherstellung der Fertigungsindustrie
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last