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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > JANTXV2N6300
JANTXV2N6300
Artikelnummer:
JANTXV2N6300
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 60V 8A TO66
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
39045 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
JANTXV2N6300.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:3V @ 80mA, 8A
Transistor-Typ:NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse:TO-66 (TO-213AA)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/539
Leistung - max:75W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-213AA, TO-66-2
Andere Namen:1086-21102
1086-21102-MIL
Betriebstemperatur:-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 75W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:750 @ 4A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max):500µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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