JAN1N6622US
Artikelnummer:
JAN1N6622US
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
29207 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
JAN1N6622US.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Spitzensperr- (max):Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2A
Spannung - Durchschlag:D-5A
Serie:Military, MIL-PRF-19500/585
RoHS Status:Bulk
Rückwärts-Erholzeit (Trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F:10pF @ 10V, 1MHz
Polarisation:SQ-MELF, A
Andere Namen:1086-19963
1086-19963-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss:30ns
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:JAN1N6622US
Expanded Beschreibung:Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
Diodenkonfiguration:500nA @ 660V
Beschreibung:DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1.4V @ 1.2A
Strom - Richt (Io) (pro Diode):660V
Kapazität @ Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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