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IXYP10N65C3D1M
- Artikelnummer:
- IXYP10N65C3D1M
- Hersteller:
- IXYS Corporation
- Beschreibung:
- IGBT
- Bestandsmenge:
- 45972 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- IXYP10N65C3D1M.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.6V @ 15V, 10A |
| Testbedingung: | 400V, 10A, 50 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 20ns/77ns |
| Schaltenergie: | 240µJ (on), 170µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 Isolated Tab |
| Serie: | XPT™, GenX3™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 26ns |
| Leistung - max: | 53W |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| Gate-Ladung: | 18nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 650V 15A 53W Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 50A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 15A |
| Email: | [email protected] |
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