IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV
Artikelnummer:
IXXA30N65C3HV
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
IGBT
Bestandsmenge:
34205 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXXA30N65C3HV.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 24A
Testbedingung:400V, 24A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:33ns/125ns
Schaltenergie:500µJ (on), 450µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263HV
Serie:XPT™, GenX3™
Rückwärts-Erholzeit (Trr):33ns
Leistung - max:230W
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:37nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 650V 52A 230W Surface Mount TO-263HV
Strom - Collector Pulsed (Icm):113A
Strom - Kollektor (Ic) (max):52A
Email:[email protected]

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