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IXTT2N170D2
IXTT2N170D2
Artikelnummer:
IXTT2N170D2
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
42054 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXTT2N170D2.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.5 Ohm @ 1A, 0V
Verlustleistung (max):568W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):-
Drain-Source-Spannung (Vdss):1700V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1700V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2A (Tj)
Email:[email protected]

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