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IXTT10P60
IXTT10P60
Artikelnummer:
IXTT10P60
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
28042 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXTT10P60.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):300W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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